现代尖端电力电子设备性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD性能已无法完全满足要求，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。为此，基本™（BASiC Semiconductor）推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。
典型应用：基本™（BASiC Semiconductor）混合IGBT单管在工商业储能PCS变流器中的应用-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
工商业储能PCS变流器：
1、主要功率点位：35kW、50kW、70kW（35kW两模块并）、100kW（50kW模块两并）、125kW（62.5kW模块两并），功率点位的选择主要取决于电池容量，都是标准值；
2、T型三电平是主流方案，出于竞争力考量，采用分立器件IGBT；T型三电平的开关频率，目前主要在16-20kHz之间
3、35kW单机方案：TO-247封装单管IGBT是现阶段主力，横管用650V 50AIGBT两并联，竖管用1200V 40A IGBT 3颗并联或者1200V 25A IGBT 4颗并联。
4、单机功率要跃迁到50kW和62.5kW，纯硅IGBT的并联个数太多，不符合客户的利益要求，功率越往上走，客户有很强的动力减少IGBT单管的数量，混合IGBT具有明显的应用优势，横管竖管都使用混合IGBT，可以网址导航站大限度压低IGBT开通电阻，降低IGBT开关损耗，网址导航站大限度发挥混管的性能。客户将IGBT的开通关断电阻分开，如果横管跟竖管同时选择混管，理论上可以将开通电阻调到0Ω，大大降级IGBT的损耗，这么一来，可以缩小混管跟全碳MSOFET在这种方案中的差距，网址导航站大程度发挥混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案现阶段评估成本还太高。混管在现有方案中具有较强的发展潜力和生命力。
横管混合IGBT选型推：BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
竖管混合IGBT选型推荐：
BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
电压源型光伏微逆混合 IGBT单管，30A/650V
随着家用微逆并网收益持续减弱，家用微逆配套储能功能需求逐渐增强，电压源型微逆的需求开始涌现。同时实现本地有功负荷的合理分配,无功负荷的合理分配和无功环流的有效抑制。